Tesis:
Espectroscopía de reflectancia diferencial aplicada al estudio del crecimiento de dispositivos semiconductores III-V por epitaxia de haces moleculares
- Autor: POSTIGO RESA, Pablo Aitor
- Título: Espectroscopía de reflectancia diferencial aplicada al estudio del crecimiento de dispositivos semiconductores III-V por epitaxia de haces moleculares
- Fecha: 1997
- Materia: FÍSICA. Teseo;FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO. Teseo;SEMICONDUCTORES. Teseo;OPTICA. Teseo
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: INGENIERIA ELECTRONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: BRIONES FERNANDEZ POLA, Fernando
- Resumen: Las conclusiones finales de este trabajo pueden resumirse en los siguientes puntos: 1.- Se ha puesto a punto y aplicado con éxito la técnica de reflectancia diferencial a la caracterización in-situ de diversos procesos de crecimiento por MBE de sistemas epitaxiales III-V. 2.- Hemos desarrollado una nueva técnica de caracterización óptica in-situ, que hemos denominado espectroscopía de modulación química superficial, que permite realizar medidas espectroscópicas sobre las superficies reconstruidas de los compuestos III-V. 3.- Se ha empleado esta nueva técnica para observar, por primera vez, las transiciones ópticas características de las superficies (001) de dos conjuntos de compuestos semiconductores III-V. 4.- Con el fin de interpretar los espectros observados, hemos modelizado la absorción óptica asociada a los dímeros de las superficies (001) de los compuestos III-V. Los valores teóricos de las posiciones energéticas de las transiciones ópticas y la evolución de las mismas en función de los distintos compuestos están en buen acuerdo con los resultados experimentales. 5.- Por último, la aplicación de la técnica a diferentes sistemas heteroepitaxiales (GaInp/GaAs, InAs/AlAs, GaAs/GaP y puntos cuánticos InP/GaP), demuestran la extraordinaria sensibilidad de la misma para la determinación in-situ de las especies químicas presentes en la superficie