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Tesis:

Modelado de los efectos de propagación transversal en transistores Mesfet de microondas

  • Autor: ENTRAMBASAGUAS MUÑOZ, José Tomás

  • Título: Modelado de los efectos de propagación transversal en transistores Mesfet de microondas

  • Fecha: 1990

  • Materia: CIENCIAS TECNOLÓGICAS. Teseo;TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. Teseo;DISPOSITIVOS DE MICROONDAS. Teseo

  • Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

  • Departamentos: SIN DEPARTAMENTO DEFINIDO

  • Acceso electrónico:

  • Director/a 1º: CAMACHO PEÑALOSA, Carlos

  • Resumen: En esta tesis se propone un modelo de mesfet que, con un nivel de complejidad similar a los ya existentes, es capaz de simular los efectos de la propagación transversal utilizando además, un reducido número de características no lineales sin retardo de ningún tipo, lo que se traduce en una mejor simulación del comportamiento del dispositivo y una mayor eficiencia en las herramientas cad