Autor: ENTRAMBASAGUAS MUÑOZ, José Tomás

Título: Modelado de los efectos de propagación transversal en transistores Mesfet de microondas

Fecha: 1990

Materia: CIENCIAS TECNOLÓGICAS. Teseo;TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. Teseo;DISPOSITIVOS DE MICROONDAS. Teseo

Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

Departamento: SIN DEPARTAMENTO DEFINIDO

Acceso electrónico:

Director/a(s):

• Director/a: CAMACHO PEÑALOSA, Carlos

Resumen: En esta tesis se propone un modelo de mesfet que, con un nivel de complejidad similar a los ya existentes, es capaz de simular los efectos de la propagación transversal utilizando además, un reducido número de características no lineales sin retardo de ningún tipo, lo que se traduce en una mejor simulación del comportamiento del dispositivo y una mayor eficiencia en las herramientas cad