Tesis:
Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo-N
- Autor: IZPURA TORRES, José Ignacio
- Título: Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo-N
- Fecha: 1990
- Materia: CIENCIAS TECNOLOGICAS. Teseo;TECNOLOGIA ELECTRONICA. Teseo;DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. Teseo;TRANSISTORES. Teseo
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: INGENIERIA ELECTRONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: MUÑOZ MERINO, Elías
- Resumen: En el presente trabajo se estudia el comportamiento eléctrico de los donantes utilizados en el AlGaAs. El estudio se ha centrado en el Si y el Sn como casos extremos, en cuanto a profundidad de donante y barreras de captura, mostrados por tales donantes. El objetivo final es la evaluación del comportamiento en bajas temperaturas de los transistores bipolares de heterounión (HBT's) basados en el sistema AlGaAs/GaAs. El estudio se realiza empleando diversas técnicas de medida, especialmente de tipo capacitivo. Las mismas son revisadas antes de aplicarlas a la nueva situación que plantea el carácter profundo de los donantes en estos materiales. El resultado más importante derivado de ello, son dos nuevos métodos, de tipo estático y cuasi-estático respectivamente, para obtener la profundidad del donante. Los resultados obtenidos, unidos a un nuevo modelo que se ha desarrollado para el proceso de captura por estos donantes profundos, permiten cuantificar la evolución de tal proceso a una temperatura dada. El modelo desarrollado justifica de forma sencilla algunas técnicas empleadas para la medida de la barrera de captura de estos donantes, a la vez que predice un proceso de captura fuertemente no-exponencial. Se proponen nuevas estructuras y técnicas de medida para reducir los términos de no-exponencialidad añadidos a los transitorios de emisión. Las medidas realizadas aportan datos que confirman la validez de los modelos desarrollados. Finalmente se concluye que el funcionamiento de los transistores bipolares de heterounión a las bajas temperaturas, es posible e incluso mejor del previsto. Debido a los fotones generados en la región de base por el propio funcionamiento del dispositivo y a la fotoconductividad persistente que presentan estos donantes, se puede conseguir zonas tipo-n con bajas resistencias serie y ruido de fase (1/f). Bajo este punto de vista se concluye que de cara al funcionamiento de los HBT´s en bajas temperaturas, el Si es el donante más adecuado