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Tesis:

Contribución al establecimiento y caracterización de una tecnología de ataque de aleaciones III-V basadas en indio mediante haces de iones reactivos

  • Autor: SENDRA SENDRA, José Ramón

  • Título: Contribución al establecimiento y caracterización de una tecnología de ataque de aleaciones III-V basadas en indio mediante haces de iones reactivos

  • Fecha: 1996

  • Materia: CIENCIAS TECNOLÓGICAS. Teseo;TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. Teseo;DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. Teseo;FÍSICA. Teseo;FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO. Teseo;SEMICONDUCTORES. Teseo

  • Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

  • Departamentos: TECNOLOGIA ELECTRONICA

  • Acceso electrónico:

  • Director/a 1º: ANGUITA ESTEFANIA, José V.

  • Resumen: La tecnología de ataque seco a temperatura ambiente de aleaciones III-V basadas en In esta fundamentada en ataques mediante plasmas de CH4/H2. La transferencia de esta tecnología desde los convencionales reactores de radiofrecuencia a reactores ECR requiere la modificación de la química del plasma para evitar dos problemas fundamentales: la inestabilidad del plasma y la deposición de hidrocarburos sobre las paredes. Ambos problemas se resuelven mediante la innovadora adición de N2 al plasma, permitiendo la mezcla de gases final dos objetivos básicos: la controlabilidad y reproducibilidad del proceso y la extrema suavidad de las superficies finales. Este plasma es aplicado al ataque de aleaciones III-V basadas en In con inmejorables resultados. El ataque de aleaciones que contengan al exige añadir al plasma de CH4/H2/N2 un gas que contenga CL, el compuesto elegido es SiCl4. Se consigue así un plasma que permite el procesado de heterostructuras que contengan a su vez Al e In cuando la relación de flujos entre gases es la adecuada. Se realiza una exhaustiva caracterización del dañado en función de la energía iónica, que como resultado global permite introducir un modelo de evolución del dañado en función de la energía iónica, que resulta tener la forma funcional de una convolución entre el perfil de dañado instantáneo y la velocidad de ataque