Autor: FERNANDEZ REYNA, Rosa María
Título: Desarrollo de emisores de luz infrarroja de gran área de GaAs y AlxGa1-x
Fecha: 1997
Materia: Sin materia definida
Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento: ELECTRONICA FISICA
Director/a(s):
- Director/a: MARTI VEGA, Antonio
Resumen: El objetivo de esta tesis es el análisis y desarrollo de diodos emisores de luz infrarroja de gran área de GaAs y AlxGa1-xAs, de emisión por superficie y estructura planar, para su posible utilización en comunicaciones ópticas no guiadas. Para ello se han fabricado dispositivos de distintos tamaños sobre estructuras diferentes con el objeto de observar la incidencia del área en la eficiencia cuántica externa y los tiempos de conmutación. Para la fabricación de dispositivos se han utilizado tres tipos de estructuras internas: una de ellas es una heterounión de AlxGa1-xAs, la segunda consiste básicamente en una doble heteroestructura de p-Al0,45Ga0,55As/p-GaAs/n-Al0,45Ga0,55As y un reflector de Bragg y la última es una homounión de GaAs. Se han modelado teóricamente la eficiencia cuántica externa, la caída que esta experimenta debido a la resistencia serie y al calentamiento y los tiempos de conmutación. Como resultado se han obtenido expresiones teóricas para dichas características en las que se incluye la dependencia con el área. Estas expresiones se han utilizado para realizar un diseño óptimo siguiendo determinados criterios y usando como parámetros de diseño el área del dispositivo y el factor de recubrimiento del contacto frontal