Tesis:
Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano
- Autor: RODRIGUEZ DOMINGUEZ, Andrés
- Título: Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano
- Fecha: 1997
- Materia: CIENCIAS TECNOLOGICAS. Teseo;INSTRUMENTACIÓN TECNOLÓGICA. Teseo;INSTRUMENTOS CIENTÍFICOS. Teseo
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: TECNOLOGIA ELECTRONICA
- Acceso electrónico: http://oa.upm.es/1332/
- Director/a 1º: RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
- Resumen: Esta tesis trata sobre el crecimiento epitaxial de capas de SiGe sobre Si con las características necesarias para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano (fracción de Ge en el intervalo 0,2 menor o igual que x menor o igual que 0,4, espesor de capa del orden de 20 nm y concentración de huecos superior a 5x10 cm3) mediante la técnica de epitaxia en fase sólida partiendo de material amorfo en contacto con sustratos de Si. El dopado se realizó mediante implantación de B. La caracterización de las capas crecidas se realizó desde el punto de vista estructural y eléctrico. Mediante microscopía electrónica de transmisión se caracterizaron los defectos presentes en las capas y su distribución en profundidad. La difractometría de rayos X permitió determinar el desacoplo de red entre las capas y los sustratos y su grado medio de deformación elástica, evaluar su calidad cristalográfica general y obtener la densidad de B incorporado sustitucionalmente. La espectrometría de iones retrodispersados en la modalidad de haz incidente alineado con los ejes del cristal se utilizó para determinar el grado de deformación de las capas en función de la profundidad. Las medidas basadas en el efecto Hall permitieron obtener la concentración de portadores. El B se incorpora a las capas de forma sustitucional con concentraciones constantes en todo el espesor dopado del orden de 2,4x10 cm-3. Como consecuencia se produce una reducción del desacoplo en red entre la capa de sige y el sustrato, que se manifiesta en mayores espesores de las capas sin defectos y en un mayor grado de coherencia de las mismas. Debido a este efecto ha sido posible crecer capas de SiGe de x=0,21 dopadas con B y de unos 27 nm de espesor coherentes con el sustrato y totalmente libres de defectos. Estas capas cumplen los requisitos mínimos necesarios para la fabricación de detectores de infrarrojo lejano