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Tesis:

Fabricación por epitaxia de haces moleculares MBE y propiedades de nanoestructuras en sistemas epitaxiales III-V altamente tensionados (InSb/Inp, InAs/Inp, InAs/GaAs)

  • Autor: UTZMEIER, Thomas

  • Título: Fabricación por epitaxia de haces moleculares MBE y propiedades de nanoestructuras en sistemas epitaxiales III-V altamente tensionados (InSb/Inp, InAs/Inp, InAs/GaAs)

  • Fecha: 1997

  • Materia: CIENCIAS TECNOLÓGICAS. Teseo;INSTRUMENTACIÓN TECNOLÓGICA. Teseo;INSTRUMENTOS CIENTÍFICOS. Teseo

  • Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

  • Departamentos: TECNOLOGIA ELECTRONICA

  • Acceso electrónico:

  • Director/a 1º: BRIONES FERNANDEZ-POLA, Fernando

  • Resumen: En esta memoria se estudia el campo de hetero-epitaxias con gran diferencia de parámetro de red que se resistirían a formar un monocristal si tuviéramos condiciones de equilibrio. Muy recientemente se ha empezado el interés por dichas estructuras semiconductoras que ya han revelado efectos muy interesantes, tanto a nivel fundamental como también, por ejemplo, para fines industriales, tal como mejorar las propiedades de láseres de pozo cuántico. La epitaxia de haces moleculares (MBE) es hoy en día una de las técnicas de fabricación de materiales monocristalinos mas sofisticadas. Los comienzos de esta técnica tienen su origen en los años 60 y desde entonces ha gozado de un interés, cada vez mas creciente hasta llegar a ser empleada para la producción industrial. En principio solamente fue utilizada para la fabricación de homoepitaxias o bien de hetero-epitaxias casi acopladas, es decir con diferencias de parámetro de red del orden de 1x10-4. El estudio que vamos a presentar a continuación se limitara fundamentalmente a combinaciones de materiales semiconductores en las que un constituyente tiene una pequeña anchura de banda prohibida mientras que el otro tienen un banda prohibida ancha, ya que estas combinaciones, en último término, son las apropiadas para ser empleadas en dispositivos que funcionan en base a la cuantización de los portadores. En esta cuantización se basan los nuevos sistemas de puntos cuánticos que se presentaran en el capitulo 7. Esta memoria se estructura de la siguiente manera: En los capítulos 2 y 3 se describirán brevemente las técnicas de caracterización de las muestras obtenidas y la técnica de preparación por MBE o bien por epitaxia de haces moleculares de capas atómicas (ALMBE). A continuación se presentaran resultados obtenidos con epitaxias de InSb sobre substratos de InP. El capítulo 5 se dedica a estructuras formadas por superredes de InSb e InP, una combinación que, en principio, promete ser muy útil para dispositivos opto-electrónicos. Y finalmente en el capítulo 7, se presentan como se mencionó anteriormente, los diversos resultados de las muestras de puntos cuánticos de varios materiales con elevado desacoplo de parámetro de red, discutiendo su utilidad para aplicaciones futuras