Tesis:
Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua
- Autor: ARIAS RODRIGUEZ, María Julia
- Título: Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua
- Fecha: 1998
- Materia: CIENCIAS TECNOLOGICAS. Teseo;TECNOLOGIA ELECTRONICA. Teseo;DISPOSITIVOS FOTOELECTRICOS. Teseo;DISEÑO DE CIRCUITOS. Teseo
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: TECNOLOGIA FOTONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: ESQUIVIAS MOSCARDO, Ignacio
- Resumen: En esta tesis doctoral se recoge el trabajo realizado sobre caracterización de láseres de pozo cuántico mediante la puesta a punto de sistemas experimentales y la interpretación de los datos mediante su comparación con modelos teóricos. Se han realizado medidas de capacidad-voltaje(C-V), potencia óptica-corriente-voltaje(P-I-V) y primera derivada del voltaje respecto de la corriente (idV/dI) sobre láseres fabricados con diferentes estructuras. La valoración de los resultados extraídos de las medidas C-V en láseres de múltiple pozo cuántico de InGaAs/GaAs se vió completada y complementada por medio de la comparación con resultados teóricos obtenidos mediante simulaciones. Estas se desarrollaron basadas en la resolución autoconsistente de las ecuaciones de Poisson y Schrodinger para las estructuras bajo análisis. Esta tesis también recoge el planteamiento y el desarrollo de un modelo para la simulación de las características optoelectrónicas de láseres de pozo cuántico, incluyendo efectos térmicos, así como su validación a través de la comparación entre las simulaciones y los resultados obtenidos de las medidas experimentales P-I-V sobre láseres de pozo cuántico de AlGaAs/GaAs. Asimismo, se probó la validez del modelo propuesto sobre los procesos de captura y el escape de portadores en el pozo mediante la simulación de características IdV/dl en láseres de múltiple pozo cuántico de InGaAs/GaAs. Esta medida proporcionó información sobre el tiempo de escape de portadores en el pozo en estos láseres. Por último, se analizaron las características P-I-V a bajas corrientes de barras de láseres de pozo cuántico de AlGaAs/GaAs de alta potencia en diferentes tiempos de envejecimiento. La finalidad de tal análisis lo constituía el investigar los mecanismos de degradación en estos dispositivos. Al final de este estudio se propuso esta medida como técnica de selección (Screening) de dispositivos