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Modelado físico de dispositivos basados en heterostructuras para aplicaciones de radiofrecuencia

Autor: GRAJAL DE LA FUENTE, Jesús

Título: Modelado físico de dispositivos basados en heterostructuras para aplicaciones de radiofrecuencia

Fecha: 1998

Materia: CIENCIAS TECNOLOGICAS. Teseo;TECNOLOGIA ELECTRONICA. Teseo;DISPOSITIVOS DE MICROONDAS. Teseo;DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. Teseo

Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

Departamento: SEÑALES, SISTEMAS Y RADIOCOMUNICACIONES

Acceso electrónico:

Director/a(s):

  • Director/a: GISMERO MENOYO, Javier

Resumen: Esta Tesis profundiza en la problemática propia de las heteroestructuras y del transporte a través de interfases mediante simulaciones físicas. Se han estudiado tanto heteroestructuras metal-semiconductor, diodos Schottky, como heteroestructuras semiconductor-semiconductor, transistores bipolares basados en heteroestructuras (HBTs), utilizadas en aplicaciones de radiofrecuencia. El punto de partida fue la teoría clásica de arrastre y difusión, complementada con modelos adecuados para el transporte en las interfases. La comprensión de las limitaciones de esta aproximación ha servido para ampliar este modelo, de modo que incluya aspectos tan importantes como generación de calor o transporte no estacionario. También se ha avanzado por la vía de adaptarse a la geometría de los dispositivos a través de un simulador bidimensional para HBTs. Por último, se ha integrado un simulador unidimensional para diodos Schottky en un simulador circuital basado en la técnica de balance armónico. Se pretende con ello desarrollar una herramienta capaz de evitar el uso de circuitos equivalentes y que permita el diseño conjunto del dispositivo y del entorno circuital