Autor: LOPEZ BARRIO, Carlos Antonio

Título: Estudio sobre niveles profundos y degradación en diodos electroluminiscentes de P04 As06Ga

Fecha: 1977

Materia: FÍSICA. Teseo;FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO. Teseo;PROPIEDADES ÓPTICAS DE LOS SÓLIDOS. Teseo;CIENCIAS TECNOLOGICAS. Teseo;TECNOLOGIA ELECTRÓNICA. Teseo;DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. Teseo

Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

Departamento: SIN DEPARTAMENTO DEFINIDO

Acceso electrónico:

Director/a(s):

• Director/a: MUÑOZ MERINO, Elías

Resumen: Se han puesto a punto las técnicas experimentales de caracterización de niveles nativos en diodos P04 As06Ga y estudio de la degradación de los mismos bajo condiciones forzadas el resultado de la investigación ha sido: 1. Determinación de varios niveles profundos por excitación térmica con posibilidad de acoplamiento entre los mismos. 2. Se dan datos de la velocidad de degradación estableciendo una correlación entre la disminución de la eficiencia cuántica externa la disminución del tiempo de vida y aumento de la corriente de recombinación