Tesis:
Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III
- Autor: MONROY FERNANDEZ, Eva María
- Título: Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III
- Fecha: 2000
- Materia: Sin materia definida
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: INGENIERIA ELECTRONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: CALLE GOMEZ, Fernando
- Resumen: Esta Tesis Doctoral describe la fabricación y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en capas de AlxGa1-xN(0 menor o igual que x menor o igual que 0,35) crecidas sobre zafiro mediante la técnica de epitaxia en fase vapor con precursores metalorgánicos. En primer lugar, se analizan las propiedades de los nitruros del grupo III y los parámetros más importantes que caracterizan el comportamiento de los fotodetectores de semiconductor. Posteriormente se detallan los distintos tipos de fotodetectores fabricados en este trabajo (fotoconductores, fotodiodos Schottky, fotodiodos metal-semiconductor-metal y fotodiodos de unión p-n y p-i-n), incluyendo sus principales prestaciones y los modelos propuestos para explicar su comportamiento. Como demostración de su capacidad se describe la aplicación de estos dispositivos a la detección de la radiación ultravioleta solar. Finalmente se realiza una comparación de las prestaciones (responsividad, ancho de banda, detectividad) obtenidas para los distintos tipos de detector. Los resultados presentados confirman a las aleaciones de AlxGa1-xN como los semiconductores más adecuados para la fotodetección selectiva en el rango ultravioleta del espectro