Autor: LOPEZ CORONADO, Miguel

Título: Contribución al desarrollo de técnicas de fabricación de diodos Schottley sobre arseniuro de galio

Fecha: 1982

Materia: Sin materia definida

Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

Departamento: SIN DEPARTAMENTO DEFINIDO

Acceso electrónico:

Director/a(s):

• Director/a: AGUILAR FERNANDEZ, Miguel

Resumen: Se han desarrollado y evaluado varias técnicas para la preparación de diodos Schottley sobre ASBA haciendo hincapié en aquellos que pueden utilizarse como mezcladores en ondas milimétricas. Se ha desarrollado, construido y puesto a punto un equipo completo de crecimiento epitacial en fase vapor de ASBA por el metodo C/3As/Ga/H2 habiéndose medido velocidades de crecimiento que dependiendo de las condiciones del mismo van desde 4 a 35 km./hora. Se han optimizado técnicas convencionales de fotolitografía para abrir ventanas de 2 5 NM de diámetro. Se han efectuado depósitos pirolíticas de Si02 y depósitos metálicos mediante pulverización catódica + tratamiento térmico de palodio y wolpario y mediante electrólisis por impulsos de oro y platino obteniéndose barreras cercanas al ideal (N 103)