Tesis:
Estudio de transistores en bajas corrientes: física y tecnología
- Autor: GONZALEZ BRIS, Carlos
- Título: Estudio de transistores en bajas corrientes: física y tecnología
- Fecha: 1983
- Materia: Sin materia definida
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: SIN DEPARTAMENTO DEFINIDO
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: MUÑOZ MERINO, Elías
- Resumen: En este trabajo se estudia el comportamiento no ideal de los transistores bipolares en bajas corrientes y se explora su relación con el proceso tecnológico de fabricación para dispositivos realizados con cuidada tecnología actual. El trabajo tiene el fin de obtener un mejor conocimiento de este efecto parásito en transistores actuales. Para realizar el estudio se han diseñado diversos transistores de alta tecnología con modificaciones en alguno de sus parámetros, como geometría, proceso de getrering, etcétera. Adicionalmente se presenta la simulación del proceso de fabricación mediante programas de simulación CAD adaptados a un ordenador PDP l l/ó0. La caracterización experimental de los dispositivos se ha llevado a cabo mediante distintas técnicas de medida, entre las que cabe destacar, en cuanto a datos significativos obtenidos, el estudio del comportamiento en continua tanto en directa como en inversa en función de la temperatura y la detección de trampas en la unión mediante transitorios de capacidad. El análisis teórico se realiza, en primer lugar, siguiendo la teoría clásica de Shockley - Read - Hall (SRH) de recombinación a través de niveles en la banda prohibida. Sin embargo, la desviación de los resultados experimentales obtenidos en las muestras con respecto a la teoría S R H indican que debe ser otro el mecanismo de recombinación que predomina en este caso. En inversa se mide un comportamiento del tipo l r alfaVm(m l) en la unión base-emisor. Este resultado, tradicionalmente, se atribuye a la presencia de precipitados metálicos en la zona de carga espacial, lo que induce a considerar el posible efecto de los mismos en las características en directa. Para ello se propone un sencillo modelo teórico de recombinación a través de los precipitados. Dicho modelo permite explicar las dependencias funcionales observadas en las características de los dispositivos. Finalmente se discuten los efectos negativos del predominio de dicho mecanismo de recombinación en los dispositivos cuando se pretende trabajar con dimensiones inferiores a la micra (sistemas VLSl)