Tesis:
Cinética de crecimiento de siliciuro de iridio mediante RTP.
- Autor: ALMENDRA SANCHEZ, Alberto
- Título: Cinética de crecimiento de siliciuro de iridio mediante RTP.
- Fecha: 2001
- Materia: Sin materia definida
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: TECNOLOGIA ELECTRONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: RODRIGUEZ RODRIGUEZ, Tomás
- Resumen: El objetivo de esta Tesis es caracterizar el crecimiento de los siliciuros de iridio en capa delgada obtenidos mediante procesamiento térmico rápido (RTP), con el fin de determinar los compuestos obtenidos y la cinética de crecimiento de los mismos. Aunque la utilización del RTP para la obtención de los siliciuros de iridio es un método pionero, a partir de los resultados publicados en la literatura para otros tipos de tratamiento térmico, se plantean como puntos críticos la utilización de un material de partida libre de contaminación con oxígeno y un control exhaustivo de la temperatura y tiempo de tratamiento térmico, así como de la atmósfera donde se lleva a cabo el proceso de silicidación. En el desarrollo de este trabajo se han definido rutinas de deposito del iridio y de tratamientos térmicos mediante RTP, que han garantizado que no se produce la contaminación con oxígeno. Aplicando diversas técnicas de caracterización (RBS, TEM, Espectroscopía Auger, XRD, SIMS, XES y Espectroscopía Raman) a un conjunto de muestras de diferentes espesores iniciales y sometidos a tratamientos térmicos a distintas temperaturas y tiempos de proceso, ha sido posible identificar las diferentes fases que se forman para el sistema iridio/silicio, determinar las propiedades morfológicas de las capas crecidas, sus espesores y las características de las interfases. Los resultados obtenidos han puesto de manifiesto cual es la secuencia de formación de los siliciuros de iridio en capa delgada obtenidos por RTP, cuales son las fases que se forman, y, mediante la aplicación de un modelo, ha sido posible obtener la cinética de crecimiento de las diferentes fases y así extraer los parámetros relevantes del proceso de formación, como son, las constantes de difusión del silicio en el IrSi y el IrSi1.75 y las constantes de reacción para la formación de estos compuestos.