Tesis:
Modelo dinámico de incorporación de oxígeno incidente sobre sustratos de silicio durante el análisis de espectrometría de masas de iones secundarios.
- Autor: GUZMAN DE LA MATA, Berta
- Título: Modelo dinámico de incorporación de oxígeno incidente sobre sustratos de silicio durante el análisis de espectrometría de masas de iones secundarios.
- Fecha: 2002
- Materia: Sin materia definida
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: TECNOLOGIA FOTONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: SERRANO OLMEDO, José Javier
- Resumen: Se ha desarrollado un modelo dinámico para la simulación de la incorporación de oxígeno en sustratos de silicio, bombardeados con haces de aquel elemento en condiciones propias de análisis de espectrometría de masas de iones secundarios. Incluye: desarrollo de modelos teóricos, determinación de parámetros de entrada, escritura de un programa de ordenador, simulación de casos prácticos y comparación con los resultados experimentales disponibles. El modelo completa y mejora un formalismo anterior basado en flujos de material incluyendo ahora el fenómeno de saturación de oxígeno. Para ello se define un límite a la cantidad de oxígeno que puede quedar localmente retenido y que varía en función de la concentración de oxígeno en el punto. Durante la determinación de los valores de los parámetros de entrada se ha desarrollado una intensa labor de recopilación de datos experimentales, cuyos resultados se incluyen en la memoria, junto con las conclusiones respecto a la variación de los rendimientos de pulverizado de silicio con la energía de incidencia y la fracción de oxígeno en superficie. Los casos simulados corresponden a energías de incidencia de 1 a 5 keV por átomo y ángulos de incidencia de 0 a 60 grados respecto a la normal. Se ha comprobado el buen funcionamiento del programa, así como la concordancia de los casos simulados con los escasos datos experimentales disponibles.