Tesis:
Caracterización eléctrica de semiconductores policristalinos. Aplicación al óxido de zinc.
- Autor: FERNANDEZ HEVIA, Daniel
- Título: Caracterización eléctrica de semiconductores policristalinos. Aplicación al óxido de zinc.
- Fecha: 2004
- Materia: Sin materia definida
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: FISICA APLICADA A LAS TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: FRUTOS VAQUERIZO, José de
- Director/a 2º: CABALLERO CUESTA, Amador
- Resumen: Se ha establecido un marco teórico para el estudio del transporte de carga a través de interfaces eléctricamente activas, especialmente útil para la descripción de la respuesta eléctrica de semiconductores policristalinos con bordes de grano eléctricamente activos. Dicho marco teórico extiende los formalismos previos, permite el análisis de condiciones experimentales nuevas, y posibilita la investigación de parámetros fisicos que permanecían inaccesibles. Además, el desarrollo teórico proporciona un formalismo unificado para las diversas situaciones experimentales, del que se carecía previamente. Dentro de este marco, se han desarrollado nuevas técnicas de caracterización eléctrica, esclareciendo la relación entre el esquema teórico y su aplicación práctica, y proporcionando pautas nítidas para la utilización del formalismo sin simplificaciones inadecuadas. Las técnicas desarrolladas proporcionan información nueva sobre la estructura electrónica del material, permiten tratar casos previamente inabordables, y permiten separar las diversas regiones microscópicas que contribuyen a su respuesta eléctrica. Como aplicación de este trabajo, se ha estudiado el caso de los materiales varistores basados en óxido de zinc. Tras situar al material con respecto al esquema teórico, se ha procedido a su caracterización C-V sin restricciones sobre la amplitud de las señal de medida. A continuación, se han obtenido los parámetros fisicos de su estructura electrónica en las distintas regiones microscópicas. Así, se ha descubierto el efecto PTCR (coeficiente de temperatura positivo para la resistencia) del interior de grano, se han explicado diversos aspectos del comportamiento bajo pulsos de alta corriente, se ha demostrado la existencia de un nivel profundo dominante, se ha encontrado un posible origen a la respuesta no Debye del material, y se ha correlacionado la pérdida de propiedades bajo sobrecocción con los cambios en la estructura electrónica del borde de grano.