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Tesis:

Desarrollo de la tecnología de MOVPE para el crecimiento de semiconductores III-V. Fabricación de células solares para concentraciones luminosas elevadas.

  • Autor: GALIANA BLANCO, Beatriz

  • Título: Desarrollo de la tecnología de MOVPE para el crecimiento de semiconductores III-V. Fabricación de células solares para concentraciones luminosas elevadas.

  • Fecha: 2006

  • Materia: Sin materia definida

  • Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

  • Departamentos: ELECTRONICA FISICA

  • Acceso electrónico:

  • Director/a 1º: ALGORA DEL VALLE, Carlos

  • Resumen: Esta tesis trata sobre el desarrollo en el IES-UPM de la tecnología de crecimiento epitaxial en fase vapor mediante precursores metalorgánicos (MOVPE) para el crecimiento de células solares de semiconductores III-V para concentraciones luminosas elevadas. En una primera parte se aborda el calibrado de GaAs, AlGaAs, GaInP y AlInP. Una vez controlado el crecimiento de estos semiconductores se ha estudiado la relación entre las condiciones de crecimiento y la calidad del GaAs. Continuando en el campo del crecimiento epitaxial se ha estudiado el crecimiento de GaAs sobre substratos de Ge en colaboración con la Universidad Philipps de Marburg (Alemania). La segunda parte de esta tesis trata sobre un modelo 3D distribuido basado en unidades circuitales para células solares de concentración el cual ha permitido un mayor conocimiento de estos dispositivos. La validez de dicho modelo se ha confirmado mediante el ajuste de datos experimentales. Por último, en la tercera parte, se aborda la fabricación completa de células solares. Para ello se presentan los procesos de post-crecimiento introducidos en esta tesis (desarrollo de un nuevo contacto para n-GaAs basado en Cu/Ge y la introducción de resina negativa) y las mejoras logradas en células solares monounión de GaAs hasta reproducir los valores conseguidos previamente con LPE (26 por ciento de eficiencia a 1000X). Además se presentan los primeros resultados de células solares sobre substratos de Ge, siendo el primer paso para células solares multiunión.