Autor: FERNANDEZ DE AVILA LOPEZ, Susana

Título: Transporte y mecanismos de dispersión en estructuras HEMT pseudomórficas

Fecha: 1995

Materia: Sin materia definida

Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

Departamento: INGENIERIA ELECTRONICA

Acceso electrónico:

Director/a(s):

• Director/a: GONZALEZ SANZ, Fernando

Resumen: Esta tesis doctoral aborda el tema del transporte electrónico en estructuras HEMT pseudomórficas sobre sustrato de GaAs de tipo normal, invertido y de doble dopaje. Empleando un programa basado en la solución de la ecuación de transporte de Boltzmann bajo la aproximación de tiempo de relajación se calculan las movilidades limitadas teóricamente por los mecanismos de dispersión por impurezas ionizadas, aleación, rugosidad de las intercaras, potencial de deformación por fonones acústicos, piezo-eléctrico y por fonones ópticos polares. Se estudia el efecto de la variación del ancho del canal en estructuras HEMT con dopaje tipo delta de si sobre la densidad de portadores libres y la movilidad, comparando los resultados experimentales con la teoría. Se presentan los efectos de la variación de la tensión de puerta sobre el control de carga y la movilidad en estructuras HEMTs de los tres tipos estudiados, analizando en profundidad la influencia de los diversos mecanismos de dispersión a baja temperatura. Se estudian finalmente ciertas propiedades ópticas de estas estructuras mediante espectroscopias de modulación