Tesis:
Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación iónica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)
- Autor: LOPEZ RUBIO, José Angel
- Título: Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación iónica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)
- Fecha: 1995
- Materia: Sin materia definida
- Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
- Departamentos: TECNOLOGIA ELECTRONICA
- Acceso electrónico:
- Director/a 1º: SANGRADOR GARCIA, Jesús
- Resumen: Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo N sobre cristales tipo P de Hg l-xCdTe (Telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de técnicas de implantación iónica y recocidos térmicos rápidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos RTA sobre las propiedades eléctricas de los substratos de partida sin implantar. Seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos RTA sobre capas implantadas de In y B. Se ha desarrollado un proceso RTA post-implantación que elimina el daño de implantación y permite la activación eléctrica de las especies implantadas