Autor: PEREZ CAMACHO, Juan José
Título: Epitaxia de haces moleculares de compuestos de antimonio sobre GaAs(001): Aplicación al desarrollo de detectores de infrarrojo medio
Fecha: 1994
Materia: Sin materia definida
Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento: TECNOLOGIA FOTONICA
Director/a(s):
- Director/a: BRIONES FERNANDEZ-POLA, Fernando
Resumen: Se presenta el crecimiento y características de nuevas heteroestructuras Ga1-xInxSb/Al1-yInySb en sustratos GaAs(001) aplicados al desarrollo de fotodetectores de Infrarrojo medio. La respuesta fotovoltaica es similar a la de otros dispositivos de antimonio crecido sobre sustratos GaSB(001). Nuestro sistema permite operar en toda la región espectral del Infrarrojo medio que resulta imposible de alcanzar con sistemas Ga1-x Inx As/Al 1-y Iny As en sustratos InP. Para crecer las heteroestructuras PIN se ha utilizado epitaxia de haces moleculares. Se ha demostrado la nucleación bidimensional de GaSb y AlSb en sustratos GaAs(001). En condiciones similares los compuestos ternarios GalnSb y AlInSb muestran nucleación tridimensional. Se han obtenido niveles adecuados de dopante en capas Ga1-xInxSb y Al1-y InySb utilizando SnTe y Be como dopante de tipos n y p, respectivamente