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Tesis:

Nueva técnica de análisis no-lineal en el dominio de la frecuencia de transistores MERFET de microondas

  • Autor: CAMACHO PEÑALOSA, Carlos

  • Título: Nueva técnica de análisis no-lineal en el dominio de la frecuencia de transistores MERFET de microondas

  • Fecha: 1982

  • Materia: CIENCIAS TECNOLOGICAS. Teseo;TECNOLOGIA ELECTRONICA. Teseo;DISPOSITIVOS DE MICROONDAS. Teseo

  • Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

  • Departamentos: SIN DEPARTAMENTO DEFINIDO

  • Acceso electrónico:

  • Director/a 1º: ZAPATA FERRER, Juan

  • Resumen: En la presente tesis se propone una nueva técnica de análisis no-lineal que permite obtener la respuesta, en régimen permanente, de modelos no-lineales de transistores MESFET de microondas a una excitación periódica. Consiste en emplear el desarrollo en serie de Fouries para plantear el problema de análisis en el dominio de la frecuencia y resolver el sistema de ecuaciones no-lineales resultante mediante un eficiente algoritmo, que es una extensión del método de la secante para la resolución de una ecuación no-lineal en una variable real. Permite manejar un elevado número de armónicos y calcular la respuesta del dispositivo, dentro de los límites de validez del modelo utilizado, con condiciones arbitrarias de excitación y carga. Solamente requiere que la excitación sea periódica, lo que sucede en la casi totalidad de las aplicaciones, y conocer las impedancias que cargan al modelo a la frecuencia fundamental y a sus armónicos. Además, se propone un nuevo modelo no-lineal de transistores MESFET y se describe cómo se pueden caracterizar los elementos del mismo a partir de medidas en régimen de pequeña señal (parámetros S) y en continua. Como aplicación se presenta el análisis de un doblador de frecuencia construido con un transistor MESFET. El excelente acuerdo observado entre los resultados experimentales y las predicciones teóricas confirman la validez tanto del modelo empleado como del análisis no-lineal efectuado. La técnica propuesta permite analizar otras aplicaciones de gran señal de los transistores MESFET, tales como amplificadores de potencia, conversores de frecuencia..., y es aplicable de manera inmediata a cualquier modelo de dispositivo no-lineal. Las excelentes características de convergencia exhibidas por el algoritmo de iteración, así como el hecho de atacar de manera directa la resolución del problema en régimen permanente, la convierten en una valiosa herramienta no sólo para el análisis no-lineal de los transistores MES-FET, sino para el de cualquier circuito de microondas