Tesis:

Nuevas técnicas de realimentación para amplificadores de microondas con transistores. Teoría y aplicaciones


  • Autor: PEREZ MARTINEZ, Félix

  • Título: Nuevas técnicas de realimentación para amplificadores de microondas con transistores. Teoría y aplicaciones

  • Fecha: 1982

  • Materia: Sin materia definida

  • Escuela: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION

  • Departamentos: SEÑALES, SISTEMAS Y RADIOCOMUNICACIONES

  • Acceso electrónico: https://oa.upm.es/82903/

  • Director/a 1º: ORTEGA CASTRO, Vicente

  • Resumen: En esta tesis se presenta una nueva teoría destinada a facilitar el diseño de amplificadores realimentados de microondas realizados con transistores bipolares y FET's. Para ello, tras poner de manifiesto las limitaciones de la teoría clásica de circuitos realimentados, se desarrollan un conjunto de métodos gráficos con cuya ayuda es muy sencillo analizar los efectos de una red de realimentación sobre los parámetros más importantes del amplificador, tales como ganancia, estabilidad, dificultad de adaptación, etc. Además, las construcciones gráficas propuestas, que denominamos genéricamente "diagramas de realimentación", permiten una interesante interpretación física del papel desempeñado por los diferentes elementos del circuito y simplifican al máximo su proceso de optimización final por ordenador. Asimismo se describe en profundidad su aplicación a un conjunto heterogéneo de amplificadores. En concreto, se han diseñado y construido los siguientes prototipos; (1) Amplificador neutralizado en banda L con transistores bipolares; (2) Amplificador a reflexión con transistores bipolares realimentados con frecuencia de trabajo de 1 GHz; (3) amplificador de potencia media con transistores MESFET potencialmente inestables en la banda de 3,7 a 4,2 GHz;(4) Amplificador distribuido de banda ultraancha (DC-1.5 GHz) con transistores bipolares; (5) Amplificador realimentado de banda ultraancha (30-860 MHz) para aplicaciones de CATV;(6( Amplificador realimentado de banda ultraancha con transistores FET's en la banda 0.15-12 GHz; Los resultados experimentales obtenidos demuestran las posibilidades y versatilidad de los métodos de diseño propuestos, así como la viabilidad de las técnicas de realimentación en las bandas de microondas